9月11日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies）宣布已成功开发出全球首个300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有可扩展大批量生产环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于GaN的功率半导体市场。与200毫米晶圆相比，300毫米晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率也更高，因为更大的晶圆直径可容纳2.3倍的芯片数量。
图片来源：英飞凌
基于GaN的功率半导体在工业、汽车、消费、计算和通信应用中得到快速采用，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。最先进的GaN制造工艺可提高设备性能，从而为最终客户的应用带来好处，因为它可以提高效率、减小尺寸、减轻重量并降低总体成本。此外，300毫米制造通过可扩展性确保了卓越的客户供应稳定性。
英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一非凡的成功是我们创新实力和全球团队辛勤工作的结果，证明了我们在GaN和电力系统领域的创新领导者地位。这项技术突破将改变行业格局，并使我们能够充分发挥氮化镓的潜力。收购GaN Systems近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的GaN市场的领导者。作为电力系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”
在位于菲拉赫（奥地利）的功率工厂，英飞凌已成功在现有300毫米硅片生产集成试验线上生产300毫米GaN晶圆。该公司将充分利用其在现有300毫米硅片和200毫米GaN生产方面的成熟能力。此外，英飞凌还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。
300毫米GaN技术的一个显著优势是它可以利用现有的300毫米硅制造设备，因为氮化镓和硅在制造工艺上非常相似。英飞凌现有的高容量硅300毫米生产线非常适合试行可靠的GaN技术，从而可以加速实施并高效利用资本。全面扩大300毫米GaN生产将有助于GaN在R DS（on）水平上与硅（Si）的成本持平，这意味着同类Si和GaN产品的成本持平。
