观点网讯：9月12日消息，英飞凌宣布开发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)功率晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。
另据该公司表示，首批予客户的试用样板将会在明年第四季推出，并指使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。
观点网讯：9月12日消息，英飞凌宣布开发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)功率晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。
另据该公司表示，首批予客户的试用样板将会在明年第四季推出，并指使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。
