据外媒报道，下一代GaNFast™氮化镓（GaN）和GeneSiC™碳化硅（SiC）功率半导体纳微半导体公司（Navitas Semiconductor）宣布推出采用D2PAK-7L（TO-263-7）和TOLL（TO-Leadless）表面贴装（SMT）封装的第三代车规级SiC MOSFET产品组合。
图片来源：纳微半导体公司
纳微专有的“沟槽辅助平面”技术提供了世界领先的温度性能，并为电动汽车（EV）充电、牵引和DC-DC转换提供了高速、低温运行操作。第三代快速SiC的外壳温度比传统设备低25℃，在高压力EV环境中的使用寿命比其他SiC产品长3倍。
第三代快速MOSFET经过优化，可实现最快的开关速度和最高的效率，并支持在交流压缩机、座舱加热器、DC-DC转换器和车载充电器（OBC）等电动汽车应用中提高功率密度。纳微专用的电动汽车设计中心已展示出最尖端的OBC系统解决方案，功率高达22 kW，功率密度为3.5 kW/升，效率超过95.5%。
400 V额定EV电池架构采用新型650 V Gen-3快速MOSFET，其RDS（ON）额定值为20至55 mΩ。其1,200 V版本的电阻为18至135 mΩ，并针对800 V系统进行了优化。
650 V和1,200 V版本均符合AEC Q101标准，采用传统的SMT D2PAK-7L（TO-263-7）封装。对于400 V电动汽车，650 V额定表面贴装TOLL封装可使结到外壳热阻（RTH,J-C）降低9%，PCB占用空间缩小30%，高度降低50%，尺寸比D2PAK-7L缩小60%。这可实现非常高功率密度的解决方案，而仅为2 nH的最小封装电感可确保出色的快速开关性能和最低的动态封装损耗。
